“怎么了，看你们的表情，难道碰到什么难题了。“凌世哲看到三位的表情感到非常的奇怪，不至于吧，技术要点全都跟你们点出来了，你们按部就班的还搞不出来？
徐宏博说道：“凌少是这样的，cmos工艺设计我们现在已经完成了60%，现在关键的是我们被当中的电感耦合等离子体刻蚀机的问题上遇到了障碍，我们发现要想解决这个问题非得花上10年时间以上。”
凌世哲明白了，徐宏博所说的电感耦合等离子体刻蚀机，简称icp，是芯片光刻工艺中必不可少的一个关键设备。
这种设备在历史上诞生在90年代初期，icp诞生后就迅速得到普及，在半导体芯片工艺生产中一直都在使用，知道他穿越前一直都还在用。
它是一种高密度的等离子体刻蚀设备，特点是具有低压，简单的气体混合；改进的可重复性，最关键是它对集成电路的刻蚀中对集成电路的集成度得提高上没有任何上限，不管你的集成电路是微米级，还是纳米级，哪怕就是到了埃米级他都一样能够胜任。而其他的刻蚀机就不同了，他对集成度都有上限要求，集成度达到了上限就必须更换，可以说icp刻蚀机未来的发展方向。
正式因为它的这些优点，凌世哲当初交给王海华的资料中才会带有icp刻蚀机的资料，虽然在资料中他点出了理论方向和关键技术要点，但icp刻蚀机技术太过复杂，凭着目前的条件还不能把它给生产出来，这已经超出了目前的技术能力范围。
历史上要到91年才生产出世界第一台icp，又经过了近10年时间才发展成熟。
现在才71年，显然还达不到制备的条件。
凌世哲闭着眼睛想了想，问道：“除了icp刻蚀机以外，还有其他障碍没有？”
“现在问题就卡在这个刻蚀机上，只要刻蚀机的问题解决，那么整个工艺就算大功告成。”王海华说道。
“不错嘛，进度很快嘛，就连分布式投影光刻机的技术问题你们也解决了？”凌世哲说的分布式投影光刻机是光刻机的一种，它不是用来对硅晶圆进行刻蚀的，而是用来曝光的。在芯片个生产过程中，硅晶圆表面要涂抹上一层抗蚀剂，那是一种带有芳香味的具有一点黏度及颜色的液体，光照后能改变抗蚀能力的高分子化合物，也就是俗称的光刻胶。
光刻胶里面含有感光剂，把它涂抹在晶圆片上烘干后，在交给光刻机进行投影曝光，就跟摄影照相一样。
光刻机在最早使用的是接触式光刻机，后来又发展出接近式光刻机，它是由接触式光刻机的改进而来的。
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